Введение и применение КАС нет.22398-80-7| ИНДИЙ ФОСФИД

Синонимы: ИнП; ФОСФИД ИНДИЯ (ИИИ);

Фосфинетрилиндиум (III);

Индюфосфид/99,999%;

ChemicalbookИндиумфосфид (99,999%-In) ПУРАТРЕМА;

Индиумфосфидвафер;

Базы металлов фосфида индия и дауном черные

Спецификация:

Химические свойства:

Фосфид индия имеет темно-серые кристаллы с зудящим блеском. Точка плавления 1070 ℃. Давление диссоциации под температурой плавления составляет 2, 75 МПа. Очень немножко солубле в неорганических кислотах. Диэлектрическая постоянная: 10,8. Мобильность электронов: около 4600 см2/В? с. Подвижность отверстия: около 150 см2/V?s. Обладает полупроводниковыми свойствами.

Использование: Использованный как материал полупроводника и использованный в коммуникационной технологии стекловолокна, которая требует источников света и приемников в ряде 1,1 ~ 1.6μм. Растущие двойные гетеропереходные лазеры In-GaAsP на подложках InP могут удовлетворить требования как к согласованию решетки, так и к диапазону длин волн.

Способ производства:

Наиболее важным методом является подготовка монокристалла фосфида индия с использованием монокристаллической печи высокого давления, а плотность дислокации кристалла уменьшается путем легирования электронных примесей. В парофазной эпитаксии в основном используется метод диспропорционирования системы In-PCl3-H2. В этом процессе реакция между индием (99,9999%) и трихлоридом фосфора (99,999%) используется для выращивания слоя фосфида индия. В парофазной эпитаксии кварцевая реакционная трубка помещается в электрическую печь с двойной температурной зоной, и в ней измеряется очищенный водород высокой чистоты. Водород также используется для разбавления трихлорида фосфора. В это время барботер выдерживается при 0 ° C, и водород в реакционной трубке пропускается через него. Линейная скорость 14 см/мин. Эпитаксиальный рост делится на несколько этапов. На первом этапе в среднюю зону источника электрической печи помещают кварцевую лодку, содержащую индий, вводят газообразный водород и нагревают до 700-850 ° С, а трихлорид фосфора вводят с газообразным водородом, и восстанавливают до паров фосфора и паров фосфора над источником индия. Хлорид водорода. Водород кадмий реагирует с индием с образованием паров хлорида индия, которые мигрируют в трубке. Фосфор растворяется в индии до насыщения. На втором этапе источник индия остается в исходном положении без нагрева, а монокристаллическая подложка помещается во вторую зону нагрева электропечи и нагревается до 600-750 ° С в атмосфере водорода. Во-первых, газообразный водород используется для введения трихлорида фосфора в трубку для выполнения парофазной коррозии на подложке и очистки поверхности подложки. Затем водород вводят непосредственно в реакционную трубку, и источник нагревают до его температуры перенасыщения (которая на 100 ° С выше, чем температура кристалла подложки во время работы). Затем трихлорид фосфора вводится путем пузырьков водорода. В это время пары фосфора вступают в реакцию с хлоридом индия, генерируемым в исходной области, и слой фосфида индия осаждается и выращивается на субстрате. Когда эпитаксиальный рост завершен, чистый водород введен в систему, 2 температурных зоны охлажен к комнатной температуре, и продукт принят вне для того чтобы получить законченный продукт фосфида индия.

Упаковка и транспортировка:

Пакет: 10Г, 25 г,50 г,100 г,250Г

Транспорт: курьером/самолетом/морским путем